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    [廣告]半導體漏電定位技術emmi [復制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發表于: 2019-12-27
    EMMI(微光顯微鏡 1a>TJdoa  
    #Qnl,lf  
    對于失效分析而言,微光顯微鏡是一種相當有用,且效率極高的分析工具,主要偵測IC內部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination會放出光子,例如:在PN Junction加偏壓,此時N的電子很容易擴散到P, 而P的空穴也容易擴散至N,然后與P端的空穴做EHP Recombination。 ^L"ENsOs  
    偵測到亮點之情況 Y+0HC2(o  
    會產生亮點的缺陷:1.漏電結;2.解除毛刺;3.熱電子效應;4閂鎖效應; 5氧化層漏電;6多晶硅須;7襯底損失;8.物理損傷等。 u[G`_Y{=EM  
       1&Ruz[F5  
    偵測不到亮點之情況   + tza]r:  
    qxW^\u!<  
    不會出現亮點之故障:1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置);2.歐姆接觸;3.金屬互聯短路;4.表面反型層;5.硅導電通路等。 C3>`e3v  
    oZSPdk  
    點被遮蔽之情況:埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置,這種情況可采用Backside模式,但是只能探測近紅外波段的發光,且需要減薄及拋光處理。 7ajkp+E6  
       _@:O&G2nB  
    %RX}sS  
    tEE4"OAy  
    測試范圍: 4%9 +="  
    >0Gdxj]\  
    故障點定位、尋找近紅外波段發光點 I` +%ab  
    99tKs  
    測試內容: r ; pS_PV  
    1sN >U<  
    1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 E[2>je  
    2.飽和區晶體管的熱電子  %kSpMj|  
    3.氧化層漏電流產生的光子激發 香港开奖结果2019+开奖记录图库